Hersteller Produktnummer:
NTNS3A65PZT5GHW
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTNS3A65PZT5GHW-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Inventar:
12972312
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NTNS3A65PZT5GHW Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
281mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
44 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
155mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Paket / Koffer
3-XFDFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-NTNS3A65PZT5GHW
488-NTNS3A65PZT5GHWTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
OBSOLETE
DIGI-Zertifizierung
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