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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
NTP8G206NG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTP8G206NG-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 600V 17A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12842932
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NTP8G206NG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760 pF @ 480 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
NTP8G2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
NTP8G206NG
HTML-Datenblatt
NTP8G206NG-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
ONSONSNTP8G206NG
NTP8G206NGOS
2156-NTP8G206NG-ON
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHP22N60E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHP22N60E-GE3-DG
Einheitspreis
1.67
ERSATZART
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