Hersteller Produktnummer:
NTQS6463R2
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTQS6463R2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12858478
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NTQS6463R2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
930mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Basis-Produktnummer
NTQS64
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
NTQS6463R2OS
ONSONSNTQS6463R2
2156-NTQS6463R2-ONTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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