Hersteller Produktnummer:
NTR4171PT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTR4171PT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
15135 Stück Neu Original Auf Lager
12840974
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NTR4171PT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
720 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
480mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
NTR4171
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NTR4171PT1G-DG
NTR4171PT1GOSDKR
2832-NTR4171PT1GTR
NTR4171PT1GOSTR
ONSONSNTR4171PT1G
NTR4171PT1GOSCT
2156-NTR4171PT1G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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