Hersteller Produktnummer:
NTZD5110NT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTZD5110NT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
21588 Stück Neu Original Auf Lager
12918378
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTZD5110NT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
294mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
24.5pF @ 20V
Leistung - Max
250mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
NTZD5110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
ONSONSNTZD5110NT1G
2156-NTZD5110NT1G-OS
NTZD5110NT1GOSTR
NTZD5110NT1G-DG
NTZD5110NT1GOSCT
NTZD5110NT1GOSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
SQJ844AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
