Hersteller Produktnummer:
NVB190N65S3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVB190N65S3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12848144
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NVB190N65S3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 430µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1605 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
162W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NVB190
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NVB190N65S3F
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
752
TEILNUMMER
NVB190N65S3F-DG
Einheitspreis
1.75
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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