NVD4856NT4G

Hersteller Produktnummer:

NVD4856NT4G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NVD4856NT4G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventar:

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12857634

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NVD4856NT4G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

25 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

13.3A (Ta), 89A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

27 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2241 pF @ 12 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.33W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grad

Automotive

Qualifikation

AEC-Q101

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

DPAK

Paket / Koffer

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Basis-Produktnummer

NVD485

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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