Hersteller Produktnummer:
NVD5C648NLT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVD5C648NLT4G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12857586
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NVD5C648NLT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 72W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NVD5C648
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NVD5C648NLT4G-DG
488-NVD5C648NLT4GCT
488-NVD5C648NLT4GTR
488-NVD5C648NLT4GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD90N06S4L05ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2415
TEILNUMMER
IPD90N06S4L05ATMA2-DG
Einheitspreis
0.62
ERSATZART
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