Hersteller Produktnummer:
NVMSD6N303R2G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMSD6N303R2G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 6A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12845109
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NVMSD6N303R2G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
950 pF @ 24 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
NVMSD6
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2156-NVMSD6N303R2G
ONSONSNVMSD6N303R2G
2156-NVMSD6N303R2G-ONTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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