Hersteller Produktnummer:
PN5179
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
PN5179-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 350mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12855116
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Menge
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EINREICHEN
PN5179 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
2GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
5dB @ 200MHz
Gewinnen
15dB
Leistung - Max
350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
25 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
PN517
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
PN5179FS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MT3S16U(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3106
TEILNUMMER
MT3S16U(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.08
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