SMUN2211T3G
Hersteller Produktnummer:

SMUN2211T3G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

SMUN2211T3G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59

Inventar:

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12857374
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SMUN2211T3G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
230 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59
Basis-Produktnummer
SMUN2211

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SMUN2211T3G
HTML-Datenblatt
SMUN2211T3G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
2832-SMUN2211T3GTR
2156-SMUN2211T3G-OS
ONSONSSMUN2211T3G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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