Hersteller Produktnummer:
SSR1N60BTM-WS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
SSR1N60BTM-WS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12843016
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Menge
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SSR1N60BTM-WS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 450mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
215 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SSR1N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2166-SSR1N60BTM-WS-488
SSR1N60BTM_WS
SSR1N60BTM_WS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTY1N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTY1N80P-DG
Einheitspreis
1.67
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