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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
DME914C10R
Product Overview
Hersteller:
Panasonic Electronic Components
Teilenummer:
DME914C10R-DG
Beschreibung:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 300MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
Inventar:
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DME914C10R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 12V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
300MHz
Leistung - Max
125mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SSMini6-F3-B
Basis-Produktnummer
DME914C1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
DME914C10RDKR
DME914C10RTR
DME914C10R-DG
DME914C10RCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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