Hersteller Produktnummer:
PJD4NA65H_L2_00001
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJD4NA65H_L2_00001-DG
Beschreibung:
650V N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
12973026
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PJD4NA65H_L2_00001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
423 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
PJD4NA65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3757-PJD4NA65H_L2_00001DKR
3757-PJD4NA65H_L2_00001CT
3757-PJD4NA65H_L2_00001TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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