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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
PJMF900N60E1_T0_00001
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJMF900N60E1_T0_00001-DG
Beschreibung:
600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 23.6W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventar:
1998 Stück Neu Original Auf Lager
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PJMF900N60E1_T0_00001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
344 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
23.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB-F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
PJMF900
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
PJMF900N60E1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
3757-PJMF900N60E1_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CT
3757-PJMF900N60E1_T0_00001TR
3757-PJMF900N60E1_T0_00001
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CTINACTIVE
3757-PJMF900N60E1_T0_00001TR-DG
3757-PJMF900N60E1_T0_00001CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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