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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
QJD1210SA1
Product Overview
Hersteller:
Powerex Inc.
Teilenummer:
QJD1210SA1-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12841161
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QJD1210SA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Powerex
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
1.6V @ 34mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8200pF @ 10V
Leistung - Max
520W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
Module
Basis-Produktnummer
QJD1210
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
QJD1210SA1
HTML-Datenblatt
QJD1210SA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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