Hersteller Produktnummer:
2SK3357-A
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
2SK3357-A-DG
Beschreibung:
2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 75A (Ta) 3W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3P (MP-88)
Inventar:
294 Stück Neu Original Auf Lager
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2SK3357-A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9800 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P (MP-88)
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-2SK3357-A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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