Hersteller Produktnummer:
CE1F3P-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
CE1F3P-AZ-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 70 V 2 A 1 W Through Hole
Inventar:
1059 Stück Neu Original Auf Lager
12930866
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CE1F3P-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
70 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
500 @ 2A, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Leistung - Max
1 W
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SSIP
Gerätepaket für Lieferanten
-
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
560
Andere Namen
2156-CE1F3P-AZ
RENRNSCE1F3P-AZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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