Hersteller Produktnummer:
FA4F4M-T1B-A
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
FA4F4M-T1B-A-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW
Inventar:
12853637
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FA4F4M-T1B-A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 250µ, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Leistung - Max
200 mW
Basis-Produktnummer
FA4F4M
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SMUN2212T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SMUN2212T1G-DG
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