FN4L4M-T1B-A
Hersteller Produktnummer:

FN4L4M-T1B-A

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

FN4L4M-T1B-A-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW

Inventar:

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12853550
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FN4L4M-T1B-A Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
85 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 250µ, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Leistung - Max
200 mW
Basis-Produktnummer
FN4L4M

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SMMUN2113LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
19365
TEILNUMMER
SMMUN2113LT1G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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Teilenummer
PDTA144ET,235
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
9880
TEILNUMMER
PDTA144ET,235-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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Teilenummer
MUN2113T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
15364
TEILNUMMER
MUN2113T1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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Teilenummer
MMUN2113LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
53248
TEILNUMMER
MMUN2113LT1G-DG
Einheitspreis
0.01
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Teilenummer
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HERSTELLER
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0
TEILNUMMER
DTA144ECA-TP-DG
Einheitspreis
0.03
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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