Hersteller Produktnummer:
HAT2279H-EL-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HAT2279H-EL-E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 30A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount LFPAK
Inventar:
12857843
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HAT2279H-EL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3520 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK
Paket / Koffer
SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer
HAT2279
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
HAT2279H-EL-E-DG
HAT2279H-EL-ECT
HAT2279H-EL-ETR
HAT2279H-EL-EDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN018-80YS,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
8017
TEILNUMMER
PSMN018-80YS,115-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
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