Hersteller Produktnummer:
NP100P06PDG-E1-AY
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
NP100P06PDG-E1-AY-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
12859983
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NP100P06PDG-E1-AY Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15000 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
NP100P06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
NP100P06PDG-E1-AY-DG
2832-NP100P06PDG-E1-AY
559-NP100P06PDG-E1-AYCT
-1161-NP100P06PDG-E1-AYCT
559-NP100P06PDG-E1-AYTR
559-NP100P06PDG-E1-AYDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SUM110P06-07L-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
99907
TEILNUMMER
SUM110P06-07L-E3-DG
Einheitspreis
1.59
ERSATZART
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