Hersteller Produktnummer:
2SA2007E
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
2SA2007E-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 60V 12A TO220FN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 12 A 80MHz 25 W Through Hole TO-220FN
Inventar:
371 Stück Neu Original Auf Lager
13522556
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2SA2007E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 400mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
320 @ 2A, 2V
Leistung - Max
25 W
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FN
Basis-Produktnummer
2SA2007
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2SA2007E-ND
846-2SA2007E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SA2222SG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2SA2222SG-DG
Einheitspreis
0.30
ERSATZART
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