Hersteller Produktnummer:
DTA123JEBTL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTA123JEBTL-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Inventar:
13521974
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Menge
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EINREICHEN
DTA123JEBTL Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-89, SOT-490
Gerätepaket für Lieferanten
EMT3F (SOT-416FL)
Basis-Produktnummer
DTA123
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTA123JEBTLDKR
DTA123JEBTLCT
DTA123JEBTLTR
DTA123JEBTL-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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