Hersteller Produktnummer:
DTB123YUT106
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
DTB123YUT106-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A UMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Inventar:
2780 Stück Neu Original Auf Lager
13524024
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DTB123YUT106 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3
Basis-Produktnummer
DTB123
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTB123YUT106TR
DTB123YUT106DKR
DTB123YUT106-ND
DTB123YUT106CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DDTA123YUA-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
650
TEILNUMMER
DDTA123YUA-7-F-DG
Einheitspreis
0.02
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