DTC114YMT2L
Hersteller Produktnummer:

DTC114YMT2L

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

DTC114YMT2L-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 70 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3

Inventar:

3301 Stück Neu Original Auf Lager
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DTC114YMT2L Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
70 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
VMT3
Basis-Produktnummer
DTC114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DTC114YM
Zuverlässigkeit Dokumente
VMT3 DTR Reliability Test
Design-Ressourcen
VMT3M Inner Structure

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
8,000
Andere Namen
DTC114YMT2LCT
DTC114YMT2LDKR
DTC114YMT2LTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
NSVDTC114YM3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11256
TEILNUMMER
NSVDTC114YM3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Similar
Teilenummer
PDTC114YM,315
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Nexperia USA Inc.
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