Hersteller Produktnummer:
EMF21T2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMF21T2R-DG
Beschreibung:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
13523873
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Menge
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EINREICHEN
EMF21T2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 12V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz, 260MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMF21
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
1056-EMF21T2
EMF21T2R-ND
EMF21T2RCT
EMF21T2RTR
1056-EMF21T2R-CHP
EMF21T2RDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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