Hersteller Produktnummer:
EMX1FHAT2R
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
EMX1FHAT2R-DG
Beschreibung:
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
13521731
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EMX1FHAT2R Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Leistung - Max
150mW
Frequenz - Übergang
180MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
EMT6
Basis-Produktnummer
EMX1FHAT2
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
EMX1FHAT2RDKR
EMX1FHAT2RTR
EMX1FHAT2RCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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