Hersteller Produktnummer:
HS8MA2TCR1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
HS8MA2TCR1-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN3333-9DC
Inventar:
710 Stück Neu Original Auf Lager
12967425
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HS8MA2TCR1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta), 7A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Leistung - Max
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
DFN3333-9DC
Basis-Produktnummer
HS8MA2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
846-HS8MA2TCR1DKR
846-HS8MA2TCR1CT
846-HS8MA2TCR1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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