Hersteller Produktnummer:
IMT18T110
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
IMT18T110-DG
Beschreibung:
TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 500mA 260MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventar:
13524934
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IMT18T110 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
270 @ 10mA, 2V
Leistung - Max
300mW
Frequenz - Übergang
260MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket für Lieferanten
SMT6
Basis-Produktnummer
IMT18
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
