Hersteller Produktnummer:
QS8J12TCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QS8J12TCR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 4.5A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventar:
13525155
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QS8J12TCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200pF @ 6V
Leistung - Max
550mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT8
Basis-Produktnummer
QS8J12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
QS8J13TR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2893
TEILNUMMER
QS8J13TR-DG
Einheitspreis
0.25
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