Hersteller Produktnummer:
QS8J2TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
QS8J2TR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventar:
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13526045
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QS8J2TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1940pF @ 6V
Leistung - Max
550mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT8
Basis-Produktnummer
QS8J2
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-QS8J2TR
QS8J2TR-ND
846-QS8J2CT
846-QS8J2DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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