Hersteller Produktnummer:
R6006JND3TL1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6006JND3TL1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
12 Stück Neu Original Auf Lager
12850600
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R6006JND3TL1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
936mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
7V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
410 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
R6006
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
846-R6006JND3TL1TR
846-R6006JND3TL1DKR
846-R6006JND3TL1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD80R1K2P7ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
14924
TEILNUMMER
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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