Hersteller Produktnummer:
R6576ENZ4C13
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
R6576ENZ4C13-DG
Beschreibung:
650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 76A (Ta) 735W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
562 Stück Neu Original Auf Lager
12974850
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R6576ENZ4C13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
76A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 44.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.96mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
735W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6576
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
846-R6576ENZ4C13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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