Hersteller Produktnummer:
RCD051N20TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RCD051N20TL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventar:
13526423
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RCD051N20TL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
760mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.25V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CPT3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RCD051
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RCD051N20TLDKR
RCD051N20TLTR
RCD051N20TLCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR220PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4331
TEILNUMMER
IRFR220PBF-DG
Einheitspreis
0.31
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