Hersteller Produktnummer:
RCJ081N20TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RCJ081N20TL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 8A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventar:
13525671
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Menge
Mindestens 1
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EINREICHEN
RCJ081N20TL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
770mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.25V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LPTS
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
RCJ081
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
RCJ081N20TLCT
RCJ081N20TLDKR
RCJ081N20TLTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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