Hersteller Produktnummer:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RD3L08BGNTL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
1415 Stück Neu Original Auf Lager
13525521
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RD3L08BGNTL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3620 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
119W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RD3L08
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK6R7P06PL,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
22356
TEILNUMMER
TK6R7P06PL,RQ-DG
Einheitspreis
0.31
ERSATZART
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