Hersteller Produktnummer:
RF6E065BNTCR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RF6E065BNTCR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Inventar:
13527400
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RF6E065BNTCR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
680 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
910mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TUMT6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
RF6E065
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RF6E065BNTCRTR
RF6E065BNTCRDKR
RF6E065BNTCRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RQ6E050AJTCR
MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
RCX160N20
MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
R6030KNXC7
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
