RK7002BMHZGT116
Hersteller Produktnummer:

RK7002BMHZGT116

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RK7002BMHZGT116-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3

Inventar:

5534 Stück Neu Original Auf Lager
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RK7002BMHZGT116 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SST3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
RK7002

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RK7002BMHZGT116 SOT-23 T116 Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RK7002BMHZGT116TR
RK7002BMHZGT116DKR
RK7002BMHZGT116CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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