RS1E240GNTB
Hersteller Produktnummer:

RS1E240GNTB

Product Overview

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Teilenummer:

RS1E240GNTB-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 72A (Tc) 3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventar:

11691 Stück Neu Original Auf Lager
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RS1E240GNTB Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Ta), 72A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
RS1E

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RS1E240GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RS1E240GNTBDKR
RS1E240GNTBCT
RS1E240GNTBTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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