Hersteller Produktnummer:
RSR010N10HZGTL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RSR010N10HZGTL-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Inventar:
6887 Stück Neu Original Auf Lager
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RSR010N10HZGTL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSMT3
Paket / Koffer
SC-96
Basis-Produktnummer
RSR010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-RSR010N10HZGTLCT
846-RSR010N10HZGTLDKR
846-RSR010N10HZGTLTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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