Hersteller Produktnummer:
RT1C060UNTR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RT1C060UNTR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13525411
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RT1C060UNTR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
650mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSST
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
RT1C060
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
RRH040P03TB1
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
