Hersteller Produktnummer:
RUU002N05T106
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RUU002N05T106-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
13525596
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RUU002N05T106 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
50 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
25 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UMT3
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
RUU002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RUU002N05T106-ND
RUU002N05T106CT
RUU002N05T106TR
RUU002N05T106DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSS138BKW,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
265937
TEILNUMMER
BSS138BKW,115-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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