Hersteller Produktnummer:
RV2C010UNT2L
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RV2C010UNT2L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount VML1006
Inventar:
2757 Stück Neu Original Auf Lager
13527498
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RV2C010UNT2L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VML1006
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Basis-Produktnummer
RV2C010
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
RV2C010UNT2LCT
RV2C010UNT2LDKR
RV2C010UNT2LTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PMZB290UNE2YL
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
35118
TEILNUMMER
PMZB290UNE2YL-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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