Hersteller Produktnummer:
RV8L002SNHZGG2CR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RV8L002SNHZGG2CR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Inventar:
6521 Stück Neu Original Auf Lager
12948493
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RV8L002SNHZGG2CR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010-3W
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
RV8L002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
846-RV8L002SNHZGG2CRTR
846-RV8L002SNHZGG2CRDKR
846-RV8L002SNHZGG2CRCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
STW56N65M2-4
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
