Hersteller Produktnummer:
RZF013P01TL
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RZF013P01TL-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Inventar:
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RZF013P01TL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
290 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TUMT3
Paket / Koffer
3-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
RZF013
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RZF013P01TLCT
RZF013P01TLTR
RZF013P01TLDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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