Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Austria
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Austria
Schalter:
Englisch
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SH8MA4TB1
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
SH8MA4TB1-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 9A (Ta), 8.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
19273 Stück Neu Original Auf Lager
13526594
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SH8MA4TB1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta), 8.5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V, 19.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
640pF @ 15V, 890pF @ 15V
Leistung - Max
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Basis-Produktnummer
SH8MA4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SH8MA4TB1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SH8MA4TB1TR
SH8MA4TB1DKR
SH8MA4TB1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SP8K3TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
SP8M70TB1
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
TT8M1TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
UT6K3TCR
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8