Hersteller Produktnummer:
TT8M3TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
TT8M3TR-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13524868
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TT8M3TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A, 2.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
260pF @ 10V
Leistung - Max
1W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSST
Basis-Produktnummer
TT8M3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TT8M3TRCT-ND
TT8M3TRCT
TT8M3TRDKR
TT8M3CT
TT8M3TRTR
TT8M3TRTR-ND
TT8M3TRDKR-ND
TT8M3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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