Hersteller Produktnummer:
UMF22NTR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
UMF22NTR-DG
Beschreibung:
TRANS DIGITAL BJT NPN 12V 500MA/
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 12V, 50V 500mA, 100mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount UMT6
Inventar:
12995490
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Menge
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EINREICHEN
UMF22NTR Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA, 100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V, 50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO), 500nA
Frequenz - Übergang
250MHz, 320MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
UMT6
Basis-Produktnummer
UMF22
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
846-UMF22NTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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