Hersteller Produktnummer:
US6J11TR
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
US6J11TR-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
Inventar:
5885 Stück Neu Original Auf Lager
13527012
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
US6J11TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
290pF @ 6V
Leistung - Max
320mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TUMT6
Basis-Produktnummer
US6J11
Datenblatt & Dokumente
Zuverlässigkeit Dokumente
Design-Ressourcen
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
US6J11DKR
US6J11CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SP8K22FRATB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
TT8K11TCR
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP